1. FPM RAM (Fast Page Mode DRAM)
Merupakan model memory DRAM yang sudah
sangat tua (hasil pengembangan SIM RAM yang merupakan nenek moyangnya RAM)
ditemukan pada sekitar tahun 1987. RAM ini masih banyak sekali kekurangan dari
segi kecepatan maupun kemampuan menampung datanya. memiliki 30 pin kaki (jumlah
lempengan kuningan memory atau slot), hanya dapat berjalan pada clock Maximum
16 Mhz sampai 66 Mhz dengan kecepatan aksesnya kurang lebih 50 ns. hal ini yang
menyebabkan akses pemoresesan data dalam memory menjadi sangat lambat. di jumpai
pada komputer intel 386.
2. EDO RAM (Extended-Data-Out RAM)
Pertama ditemukan pada tahun 1995 Hasil
pegembangan dari FPM RAM. Dapat berjalan pada clock 33-66 mhz dan memiliki 72
pin kaki. Hanya saja terdapat tambahan teknologi baru. Dalam chip dimasukan Chace
yang sangat membantu dalam waktu akses pemrosesan data dari RAM tersebut. EDO
RAM mengalami peningkatan kecepatan hampir 40-50% jika dibandingkan dari FPM
RAM pendahulunya. jenis ini sudah tidak digunakan lagi pada saat ini. dipakai
pada komputer intel 486.
3. SD RAM (Synchronous Dynamic RAM)
Merupakan model atau type memory yang
paling bertahan lama. Mengapa dikatakan demikian? hal ini disebabkan oleh
lamanya RAM ini beredar di pasaran dan tak tergantikan oleh jenis memory yang
baru. Dari pertama munculanya tahun 1996 sampai sekitar tahun 2001 masih saja
digunakan oleh platfrom dari mainboard yang dikeluarkan pada saat itu. dari
komputer Pentium I,II,III, sampai pada awal kemunculan komputer Pentium IV. RAM
ini jalan pada clock FSB 100-133 mhz, 168 pin dan memakai daya listrik sebesar
3.3 Volt. memiliki kemampuan untuk mensingkronkan clock yang terdapat pada
memory tersebut dengan clock pada processor. hal ini menyebabkan system dalam
komputer dapat berjalan seimbang dengan kata lain waktu pemoresesan data
menjadi lebih cepat dan efesien.
4. RD RAM (Rambus Dynamic RAM)
RAM yang dikembangkan oleh perusahaan
Rambus memiliki karakteristik mampu berjalan pada clock FSB 800/1066, 184-pin
,dan menggunakan daya listrik sebesar 2.5 Volt. perbedaan utama dibanding DDR
RAM terletak pada bagaimana cara memory ini mengolah datanya. pada RD RAM data
di olah secara Serial sedangkan DDR RAM mengolah datanya secara pararel. RD RAM
lah yang pertama kali memakai teknologi Dual Channel. walau memiliki performa
yang bagus RD RAM sudah jarang digunakan lagi karena harganya tergolong mahal.
Awal keluar pada tahun 1999.
macam dan jenis ram.
5. DDR RAM (Double Data Rate RAM)
Memory ini memilki
karakteristik clock FSB 266/333/400 MHz, 184-pin, 2.5 Volt. di pakai pada
komputer berplatfrom Pentium IV ke atas atau sejenisnya. Merupakan hasil
regenerasi dari SD RAM. memiliki kecepatan 2x dari SDRAM sesuai dengan namanya
Double Data Rate hal ini disebabkan dalam 1 clock mampu membawa/mengakses
jumlah data sebanyak 2 bit di banding SD RAM yang hanya mampu menampung data
sebesar 1 bit per clocknya. memori ini dibuat untuk menyaingi RD RAM memori
yang sudah terlebih dahulu keluar dan sekarang sudah menjadi penguasa pasar The
King of Memory. Perkembangan memory ini pun tergolong cepat. sekarang saja
sudah sampai generasi ke lima (DDR , DDRII, DDRIII, DDR IV, DDR V).
6. Magnetoresistive
random-access memory (MRAM)
Adalah random-access memory non-volatileteknologi yang sedang dikembangkan
sejak tahun 1990-an. Terus meningkat dalam kepadatan teknologi memori
yang ada - terutama Flash RAM dan DRAM - menyimpannya dalam peran ceruk di pasar, namun para pendukungnya
percaya bahwa keuntungan yang begitu kuat bahwa RAM magnetoresistive akhirnya
akan menjadi dominan untuk semua jenis memori, menjadi memori yang universal.
Tidak seperti
konvensional RAM teknologi chip data MRAM tidak disimpan sebagai muatan listrikatau arus saat ini, tetapi dengan magnet elemen penyimpanan. Unsur-unsur terbentuk dari dua feromagnetik piring,
masing-masing yang dapat menampung medan magnet, dipisahkan oleh sebuah lapisan
isolasi tipis. Salah
satu dari dua piring adalah magnet permanen set ke polaritas tertentu, bidang
pelat lain dapat diubah untuk mencocokkan bahwa medan eksternal untuk menyimpan
memori. Konfigurasi
ini dikenal sebagaikatup spin dan merupakan struktur yang paling sederhana untuk MRAM sedikit . Sebuah perangkat memori dibangun
dari grid "sel" tersebut.
Metode paling sederhana membaca dilakukan dengan mengukur hambatan
listrik dari sel. Sebuah
sel tertentu (biasanya) dipilih oleh sebuah powering terkait transistor yang
switch arus dari jalur suplai melalui sel ke tanah. Karena efek
terowongan magnet , para tahanan listrik dari perubahan sel karena orientasi bidang dalam dua piring. Dengan mengukur arus yang
dihasilkan, perlawanan dalam setiap sel tertentu dapat ditentukan, dan dari
polaritas pelat ditulis. Biasanya
jika dua piring memiliki polaritas yang sama ini dianggap berarti
"1", sedangkan jika dua piring adalah polaritas berlawanan resistensi
akan lebih tinggi dan ini berarti "0".
Data ditulis ke sel menggunakan berbagai cara. Dalam sederhana, setiap sel
terletak di antara sepasang garis menulis diatur di sudut kanan satu sama lain,
di atas dan di bawah sel. Ketika saat ini adalah melewati
mereka, sebuah medan magnet induksi dibuat di
persimpangan, yang ditulis pelat mengambil. Pola operasi ini mirip dengan memori
inti , sistem yang umum digunakan pada 1960-an. Pendekatan ini memerlukan arus
yang cukup besar untuk menghasilkan lapangan, bagaimanapun, yang membuatnya
kurang menarik untuk penggunaan daya rendah, salah satu kelemahan utama MRAM
ini. Selain
itu, sebagai perangkat diperkecil ukurannya, ada saatnya ketika lapangan
diinduksi tumpang tindih sel yang berdekatan di daerah yang kecil, menyebabkan
potensi menulis palsu. Masalah
ini, setengah-pilih (atau menulis mengganggu) masalah, muncul untuk mengatur
ukuran yang cukup besar untuk jenis sel. Salah satu solusi eksperimental
untuk masalah ini adalah menggunakan domain melingkar ditulis dan dibaca dengan
menggunakan efek magnetoresistive raksasa , tapi
tampaknya baris ini penelitian tidak lagi aktif.
Sebuah teknik baru, berputar
mentransfer torsi (STT) atau pemindahan berputar switching, menggunakan
spin-blok ("terpolarisasi") elektron untuk
langsung torsi domain. Secara
khusus, jika elektron mengalir ke lapisan harus mengubah spin mereka, ini akan
mengembangkan torsi yang akan ditransfer ke lapisan di dekatnya. Hal ini akan menurunkan jumlah
arus yang dibutuhkan untuk menulis sel, sehingga hampir sama dengan proses
membaca. Ada kekhawatiran bahwa jenis "klasik" dari sel MRAM akan
mengalami kesulitan pada kepadatan tinggi karena jumlah arus yang dibutuhkan
selama menulis, masalah yang STT menghindari. Untuk alasan ini, para pendukung
STT mengharapkan teknik yang akan digunakan untuk perangkat dari 65 nm dan
lebih kecil. downside adalah kebutuhan untuk mempertahankan koherensi spin. Secara keseluruhan, STT
membutuhkan jauh lebih sedikit menulis saat ini dari konvensional atau beralih
MRAM. Penelitian
di bidang ini menunjukkan bahwa STT saat ini dapat dikurangi hingga 50 kali
dengan menggunakan struktur komposit baru. Namun,
operasi kecepatan tinggi masih membutuhkan arus yang lebih tinggi.
Pengaturan potensial lainnya termasuk " Thermal
Assisted Switching "(TAS-MRAM), yang secara singkat memanas (mengingatkan perubahan
fase memori ) yang sambungan terowongan magnetik selama
proses menulis dan menjaga MTJs stabil pada suhu dingin sisa waktu, dan
"vertikal MRAM transport" (VMRAM), yang menggunakan arus melalui
kolom vertikal untuk mengubah orientasi magnetik, pengaturan geometris yang
mengurangi masalah menulis mengganggu sehingga dapat digunakan pada kerapatan
yang lebih tinggi.
Sebuah makalah memberikan rincian bahan dan tantangan yang berkaitan dengan MRAM
dalam geometri tegak lurus. Para penulis menjelaskan istilah
baru yang disebut "Pentalemma" - yang merupakan konflik di lima
kebutuhan yang berbeda seperti menulis saat ini, stabilitas bit, mudah dibaca,
kecepatan baca / tulis dan proses integrasi dengan CMOS. Pemilihan bahan dan desain MRAM
untuk memenuhi kebutuhan tersebut dibahas.
