Jenis & Kemampuan RAM (Random Acces Memory)

1. FPM RAM (Fast Page Mode DRAM)

Merupakan model memory DRAM yang sudah sangat tua (hasil pengembangan SIM RAM yang merupakan nenek moyangnya RAM) ditemukan pada sekitar tahun 1987. RAM ini masih banyak sekali kekurangan dari segi kecepatan maupun kemampuan menampung datanya. memiliki 30 pin kaki (jumlah lempengan kuningan memory atau slot), hanya dapat berjalan pada clock Maximum 16 Mhz sampai 66 Mhz dengan kecepatan aksesnya kurang lebih 50 ns. hal ini yang menyebabkan akses pemoresesan data dalam memory menjadi sangat lambat. di jumpai pada komputer intel 386.

2. EDO RAM (Extended-Data-Out RAM)

Pertama ditemukan pada tahun 1995 Hasil pegembangan dari FPM RAM. Dapat berjalan pada clock 33-66 mhz dan memiliki 72 pin kaki. Hanya saja terdapat tambahan teknologi baru. Dalam chip dimasukan Chace yang sangat membantu dalam waktu akses pemrosesan data dari RAM tersebut. EDO RAM mengalami peningkatan kecepatan hampir 40-50% jika dibandingkan dari FPM RAM pendahulunya. jenis ini sudah tidak digunakan lagi pada saat ini. dipakai pada komputer intel 486.

3. SD RAM (Synchronous Dynamic RAM)

Merupakan model atau type memory yang paling bertahan lama. Mengapa dikatakan demikian? hal ini disebabkan oleh lamanya RAM ini beredar di pasaran dan tak tergantikan oleh jenis memory yang baru. Dari pertama munculanya tahun 1996 sampai sekitar tahun 2001 masih saja digunakan oleh platfrom dari mainboard yang dikeluarkan pada saat itu. dari komputer Pentium I,II,III, sampai pada awal kemunculan komputer Pentium IV. RAM ini jalan pada clock FSB 100-133 mhz, 168 pin dan memakai daya listrik sebesar 3.3 Volt. memiliki kemampuan untuk mensingkronkan clock yang terdapat pada memory tersebut dengan clock pada processor. hal ini menyebabkan system dalam komputer dapat berjalan seimbang dengan kata lain waktu pemoresesan data menjadi lebih cepat dan efesien.

4. RD RAM (Rambus Dynamic RAM)

RAM yang dikembangkan oleh perusahaan Rambus memiliki karakteristik mampu berjalan pada clock FSB 800/1066, 184-pin ,dan menggunakan daya listrik sebesar 2.5 Volt. perbedaan utama dibanding DDR RAM terletak pada bagaimana cara memory ini mengolah datanya. pada RD RAM data di olah secara Serial sedangkan DDR RAM mengolah datanya secara pararel. RD RAM lah yang pertama kali memakai teknologi Dual Channel. walau memiliki performa yang bagus RD RAM sudah jarang digunakan lagi karena harganya tergolong mahal. Awal keluar pada tahun 1999.
macam dan jenis ram.

5. DDR RAM (Double Data Rate RAM)

Memory ini memilki karakteristik clock FSB 266/333/400 MHz, 184-pin, 2.5 Volt. di pakai pada komputer berplatfrom Pentium IV ke atas atau sejenisnya. Merupakan hasil regenerasi dari SD RAM. memiliki kecepatan 2x dari SDRAM sesuai dengan namanya Double Data Rate hal ini disebabkan dalam 1 clock mampu membawa/mengakses jumlah data sebanyak 2 bit di banding SD RAM yang hanya mampu menampung data sebesar 1 bit per clocknya. memori ini dibuat untuk menyaingi RD RAM memori yang sudah terlebih dahulu keluar dan sekarang sudah menjadi penguasa pasar The King of Memory. Perkembangan memory ini pun tergolong cepat. sekarang saja sudah sampai generasi ke lima (DDR , DDRII, DDRIII, DDR IV, DDR V).

6. Magnetoresistive random-access memory (MRAM)
Adalah random-access memory non-volatileteknologi yang sedang dikembangkan sejak tahun 1990-an. Terus meningkat dalam kepadatan teknologi memori yang ada - terutama Flash RAM dan DRAM - menyimpannya dalam peran ceruk di pasar, namun para pendukungnya percaya bahwa keuntungan yang begitu kuat bahwa RAM magnetoresistive akhirnya akan menjadi dominan untuk semua jenis memori, menjadi memori yang universal.

Tidak seperti konvensional RAM teknologi chip data MRAM tidak disimpan sebagai muatan listrikatau arus saat ini, tetapi dengan magnet elemen penyimpanan. Unsur-unsur terbentuk dari dua feromagnetik piring, masing-masing yang dapat menampung medan magnet, dipisahkan oleh sebuah lapisan isolasi tipis. Salah satu dari dua piring adalah magnet permanen set ke polaritas tertentu, bidang pelat lain dapat diubah untuk mencocokkan bahwa medan eksternal untuk menyimpan memori. Konfigurasi ini dikenal sebagaikatup spin dan merupakan struktur yang paling sederhana untuk MRAM sedikit . Sebuah perangkat memori dibangun dari grid "sel" tersebut.

Metode paling sederhana membaca dilakukan dengan mengukur hambatan listrik dari sel. Sebuah sel tertentu (biasanya) dipilih oleh sebuah powering terkait transistor yang switch arus dari jalur suplai melalui sel ke tanah. Karena efek terowongan magnet , para tahanan listrik dari perubahan sel karena orientasi bidang dalam dua piring. Dengan mengukur arus yang dihasilkan, perlawanan dalam setiap sel tertentu dapat ditentukan, dan dari polaritas pelat ditulis. Biasanya jika dua piring memiliki polaritas yang sama ini dianggap berarti "1", sedangkan jika dua piring adalah polaritas berlawanan resistensi akan lebih tinggi dan ini berarti "0".

Data ditulis ke sel menggunakan berbagai cara. Dalam sederhana, setiap sel terletak di antara sepasang garis menulis diatur di sudut kanan satu sama lain, di atas dan di bawah sel. Ketika saat ini adalah melewati mereka, sebuah medan magnet induksi dibuat di persimpangan, yang ditulis pelat mengambil. Pola operasi ini mirip dengan memori inti , sistem yang umum digunakan pada 1960-an. Pendekatan ini memerlukan arus yang cukup besar untuk menghasilkan lapangan, bagaimanapun, yang membuatnya kurang menarik untuk penggunaan daya rendah, salah satu kelemahan utama MRAM ini. Selain itu, sebagai perangkat diperkecil ukurannya, ada saatnya ketika lapangan diinduksi tumpang tindih sel yang berdekatan di daerah yang kecil, menyebabkan potensi menulis palsu. Masalah ini, setengah-pilih (atau menulis mengganggu) masalah, muncul untuk mengatur ukuran yang cukup besar untuk jenis sel. Salah satu solusi eksperimental untuk masalah ini adalah menggunakan domain melingkar ditulis dan dibaca dengan menggunakan efek magnetoresistive raksasa , tapi tampaknya baris ini penelitian tidak lagi aktif.

Sebuah teknik baru, berputar mentransfer torsi (STT) atau pemindahan berputar switching, menggunakan spin-blok ("terpolarisasi") elektron untuk langsung torsi domain. Secara khusus, jika elektron mengalir ke lapisan harus mengubah spin mereka, ini akan mengembangkan torsi yang akan ditransfer ke lapisan di dekatnya. Hal ini akan menurunkan jumlah arus yang dibutuhkan untuk menulis sel, sehingga hampir sama dengan proses membaca. Ada kekhawatiran bahwa jenis "klasik" dari sel MRAM akan mengalami kesulitan pada kepadatan tinggi karena jumlah arus yang dibutuhkan selama menulis, masalah yang STT menghindari. Untuk alasan ini, para pendukung STT mengharapkan teknik yang akan digunakan untuk perangkat dari 65 nm dan lebih kecil. downside adalah kebutuhan untuk mempertahankan koherensi spin. Secara keseluruhan, STT membutuhkan jauh lebih sedikit menulis saat ini dari konvensional atau beralih MRAM. Penelitian di bidang ini menunjukkan bahwa STT saat ini dapat dikurangi hingga 50 kali dengan menggunakan struktur komposit baru. Namun, operasi kecepatan tinggi masih membutuhkan arus yang lebih tinggi.

Pengaturan potensial lainnya termasuk " Thermal Assisted Switching "(TAS-MRAM), yang secara singkat memanas (mengingatkan perubahan fase memori ) yang sambungan terowongan magnetik selama proses menulis dan menjaga MTJs stabil pada suhu dingin sisa waktu, dan "vertikal MRAM transport" (VMRAM), yang menggunakan arus melalui kolom vertikal untuk mengubah orientasi magnetik, pengaturan geometris yang mengurangi masalah menulis mengganggu sehingga dapat digunakan pada kerapatan yang lebih tinggi. 

Sebuah makalah memberikan rincian bahan dan tantangan yang berkaitan dengan MRAM dalam geometri tegak lurus. Para penulis menjelaskan istilah baru yang disebut "Pentalemma" - yang merupakan konflik di lima kebutuhan yang berbeda seperti menulis saat ini, stabilitas bit, mudah dibaca, kecepatan baca / tulis dan proses integrasi dengan CMOS. Pemilihan bahan dan desain MRAM untuk memenuhi kebutuhan tersebut dibahas.

Source: Wikipedia